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Onsemi QFET FQD13N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The 6mm, Betriebstemperatur max.: -20 V, +20 V, Länge: 6

onsemi QFET FQD13N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi QFET FQD13N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Onsemi QFET FQD13N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Onsemi QFET FQD13N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Murata, GRM, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 470nF ±10% / 25V dc, Gehäuse 0805 (2012M), Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Höhe: 1.25mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: GRM21BR71E474KA01L
    • IST INNOVATIVE SENSOR TECHNOLOGY IST Innovative PT100 Chip Widerstandsthermometer Ø 1.2mm x 1.6mm, -50°C → +200°C, Anschlussart: Lot, Genauigkeit: Klasse B, Reaktionszeit: 0,18 ms (Wasser), 2,5 ms (Luft), MPN: 010.02677
    • Facom, SW 34 mm Gabel‑Ring Ratschenschlüssel doppelseitig, Länge 455 mm, Schraubenschlüsselart: Gabel-Ring-Ratschenschlüssel, Metrisch oder zöllig: metrisch, Metrische Größe: 34mm, Doppelseitig: Ja, Finish: Chrom satiniert, MPN: 467B.34
    • nVent HOFFMAN ASR Edelstahl Wandgehäuse IP66, HxBxT 400 mm x 600 mm x 210mm, Gehäusematerial: Edelstahl 304, Edelstahl 316, Durchsichtige Tür: Nein, MPN: ASR0406021-316
    • nVent HOFFMAN ASR Edelstahl Wandgehäuse IP66, HxBxT 500 mm x 400 mm x 210mm, Gehäusematerial: Edelstahl 304, Edelstahl 316, Durchsichtige Tür: Nein, MPN: ASR0504021-316
    • Renesas Electronics Digitales Potenziometer I2C 128-Position Linear SC-70 6-Pin, MPN: ISL90728WIE627Z-TK

    Renesas Electronics Digitales Potenziometer I2C 128-Position Linear SC-70 6-Pin, MPN: ISL90728WIE627Z-TK

    Renesas Electronics Digitales Potenziometer I2C 128-Position Linear SC-70 6-Pin.

    • onsemi QFET FQD13N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Murata, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 4.7μF / 35V dc, Gehäuse 0805 (2012M), Kapazität: 4.7µF, Spannung: 35V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: GRM21BZ7YA475KE15K
    • onsemi QFET FQD13N10LTM N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Murata, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 4.7μF / 35V dc, Gehäuse 0805 (2012M), Kapazität: 4.7µF, Spannung: 35V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: GRM21BZ7YA475KE15K