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Vishay TrenchFET SQSA70CENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

About The 5V, Transistor-Werkstoff: Si.: 0,0685 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET SQSA70CENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0685 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET SQSA70CENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

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Specifications of Vishay TrenchFET SQSA70CENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

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Vishay TrenchFET SQSA70CENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
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STMicroelectronics Mikrocontroller STM32H7 ARM Cortex M7 LQFP 144-Pin, MPN: STM32H745ZIT6

STMicroelectronics Mikrocontroller STM32H7 ARM Cortex M7 LQFP 144-Pin, MPN: STM32H745ZIT6

STMicroelectronics Mikrocontroller STM32H7 ARM Cortex M7 LQFP 144-Pin.

    • Infineon IPB19DP10NMATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 13,8 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon IPB19DP10NMATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 13,8 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Infineon IPB19DP10NMATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 13,8 A, 3-Pin D2PAK (TO-263).

    • IDEM KM-SS-Ex Sicherheits-Verriegelungsschalter Codiert 2 Öffner 2 Öffner 250V Edelstahl, Anschlussausführung: Kabel, Bereich: Kobra, IP Schutzart: IP 67, Zulassung für Gefahrenbereiche: ATEX, Anzahl der Kopfpositionen: 8, Tiefe: 44mm, Länge: 118mm, Strom (max.): 4A, MPN: 204019
    • ABB Millenium Wippschalter Gold 16A H. 91mm IP 20

    ABB Millenium Wippschalter Gold 16A H. 91mm IP 20

    ABB Millenium Wippschalter Gold 16A H. 91mm IP 20, Betriebsspannung: 250V, Oberfläche: Glänzend, Material: Metall, Beleuchtung: Unbeleuchtet, Tiefe der Abdeckblende: 35mm, MPN: ABB2CLA624410N1601.

    • Vishay TrenchFET SUM60061EL-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 150 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0061 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si
    • STMicroelectronics SCR Gesteuerter Gleichrichter 25A D²PAK 1200V 440A 40A, MPN: TN4050HP-12GY-TR

    STMicroelectronics SCR Gesteuerter Gleichrichter 25A D²PAK 1200V 440A 40A, MPN: TN4050HP-12GY-TR

    STMicroelectronics SCR Gesteuerter Gleichrichter 25A D²PAK 1200V 440A 40A.

    • Vishay TrenchFET SQSA70CENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0685 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
    • Vishay MMA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 2kΩ ±0.1% / 0.07W ±15ppm/K, Melf 0204 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -10°C, Betriebstemperatur max.: +85°C, MPN: MMA02040E2001BB100
    • Vishay TrenchFET SQSA70CENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 18 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0685 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
    • Vishay MMA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 2kΩ ±0.1% / 0.07W ±15ppm/K, Melf 0204 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -10°C, Betriebstemperatur max.: +85°C, MPN: MMA02040E2001BB100