Infineon C7 GOLD IPT60R150G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,15 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V
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Infineon C7 GOLD IPT60R150G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8
Specifications of Infineon C7 GOLD IPT60R150G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8 | |
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