ROHM RQ5E035BN RQ5E035BNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
About The ROHM RQ5E035BN RQ5E035BNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A 1 W, 3-Pin TSMT-3, Drain-Source-Widerstand max.: 2
ROHM RQ5E035BN RQ5E035BNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A 1 W, 3-Pin TSMT-3, Drain-Source-Widerstand max.: 56 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM RQ5E035BN RQ5E035BNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
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Specifications of ROHM RQ5E035BN RQ5E035BNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A 1 W, 3-Pin TSMT-3 | |
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