Microchip TN2106 TN2106K1-G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 280 mA 360 mW, 3-Pin TO-236, Drain-Source-Widerstand max.: 5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Microchip TN2106 TN2106K1-G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 280 MA 360 MW, 3-Pin TO-236
Specifications of Microchip TN2106 TN2106K1-G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 280 MA 360 MW, 3-Pin TO-236 | |
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