ROHM RJ1L12BGN RJ1L12BGNTLL N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 192 W, 3-Pin TO-263AB
About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10
ROHM RJ1L12BGN RJ1L12BGNTLL N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 192 W, 3-Pin TO-263AB, Drain-Source-Widerstand max.: 4,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: 150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
ROHM RJ1L12BGN RJ1L12BGNTLL N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 192 W, 3-Pin TO-263AB
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Specifications of ROHM RJ1L12BGN RJ1L12BGNTLL N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 192 W, 3-Pin TO-263AB | |
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