Onsemi IGBT / 200 A ±20V Max., 650 V 375 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal
About The , 650 V 375 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal, Anzahl an Transistoren: 1, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 15.2 x 22
onsemi IGBT / 200 A ±20V max., 650 V 375 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal, Anzahl an Transistoren: 1, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Nennleistung: 160mJ, Gate-Kapazität: 5100pF, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: FGH75T65SQDNL4
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Onsemi IGBT / 200 A ±20V Max., 650 V 375 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal
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