Vishay TrenchFET SI8802DB-T2-E1 N-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,5 A, 4-Pin MICRO FOOT, Drain-Source-Widerstand max.: 0,054 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.7V
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Vishay TrenchFET SI8802DB-T2-E1 N-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,5 A, 4-Pin MICRO FOOT
Specifications of Vishay TrenchFET SI8802DB-T2-E1 N-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 3,5 A, 4-Pin MICRO FOOT | |
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