Toshiba TK090Z65Z TK090Z65Z,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4
About The Toshiba TK090Z65Z TK090Z65Z,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,09 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Toshiba TK090Z65Z TK090Z65Z,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,09 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TK090Z65Z TK090Z65Z,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4
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Specifications of Toshiba TK090Z65Z TK090Z65Z,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4 | |
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