Onsemi QFET FQA70N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 70 A 214 W, 3-Pin TO-3PN
About The .onsemi QFET FQA70N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 70 A 214 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max
onsemi QFET FQA70N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 70 A 214 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 15.8mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi QFET FQA70N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 70 A 214 W, 3-Pin TO-3PN
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi QFET FQA70N10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 70 A 214 W, 3-Pin TO-3PN | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
