Toshiba TK090A65Z TK090A65Z,S4X(S N-Kanal MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 0,09 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Toshiba TK090A65Z TK090A65Z,S4X(S N-Kanal MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220SIS
Specifications of Toshiba TK090A65Z TK090A65Z,S4X(S N-Kanal MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220SIS | |
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