Toshiba TPH1R306PL TPH1R306PL,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max.: 2.3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TPH1R306PL TPH1R306PL,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A, 8-Pin SOP
Specifications of Toshiba TPH1R306PL TPH1R306PL,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A, 8-Pin SOP | |
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