STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 45 A, 4-Pin Hip247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,067 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon
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STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 45 A, 4-Pin Hip247-4
Specifications of STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 45 A, 4-Pin Hip247-4 | |
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