Infineon CoolMOS C3 SPP04N80C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4 A 63 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 1,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Gate-Ladung typ. @ Vgs: 23 nC @ 10 V
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Infineon CoolMOS C3 SPP04N80C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4 A 63 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Infineon CoolMOS C3 SPP04N80C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4 A 63 W, 3-Pin TO-220AB | |
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