Microchip Ethernet-Schalter IC MII, RMII 10 Mbps, 100Mbit/s 3,3 V, QFN 56-Pin

Name: Microchip? Microchip Ethernet-Schalter IC MII, RMII 10 Mbps, 100Mbit/s 3,3 V, QFN 56-Pin, PHY / Transceiver Interface: MII/RMII, Datenrate Typ.: 10 Mbps, 100 Mbps, VLAN-Träger: Ja, Integrierte LED Treiber: Nein, Stromversorgungs-Typ: Single, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 8 X 8 X 0.95mm, Länge: 8mm, Betriebstemperatur Max.: +70 °C, MPN: LAN9303-ABZJ
Brand: Microchip
SKU: ABDV-419037
Price: 180.88 EUR
Availability: InStock

About The Microchip Ethernet-Schalter IC MII, RMII 10 Mbps, 100Mbit/s 3,3 V, QFN 56-Pin, PHY / Transceiver Interface: MII/RMII, Datenrate typ.: 10 Mbps, 100 Mbps, VLAN-Träger: Ja, Integrierte LED Treiber: Nein, Stromversorgungs-Typ: Single, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 8 x 8 x 0

Microchip Ethernet-Schalter IC MII, RMII 10 Mbps, 100Mbit/s 3,3 V, QFN 56-Pin, PHY / Transceiver Interface: MII/RMII, Datenrate typ.: 10 Mbps, 100 Mbps, VLAN-Träger: Ja, Integrierte LED Treiber: Nein, Stromversorgungs-Typ: Single, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 8 x 8 x 0.95mm, Länge: 8mm, Betriebstemperatur max.: +70 °C, MPN: LAN9303-ABZJ

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Schnittstellen > Ethernet-Schnittstellen-ICs

Turck C9-A41 Monostabiles Relais, Steckrelais 4-poliger Wechsler 5A 24V dc Spule / 1W, Spulenspannung: 24V dc, Montage Typ: Steckanschluss, Rastend: Nein, Anschluss Typ: Steckbar, Schaltspannung AC max.: 250V, Schaltspannung DC max.: 110V dc, Länge: 21mm, Spulenwiderstand: 594Ω, Kontaktmaterial: Silberlegierung, Tiefe: 28mm, Höhe: 37.5mm, MPN: C9-A41FX/024VDC

Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 3kΩ ±0.05% / 0.1W ±10ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA3ARW302V

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Specifications of Microchip Ethernet-Schalter IC MII, RMII 10 Mbps, 100Mbit/s 3,3 V, QFN 56-Pin
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Last Updated December 21st, 2024 05:29 pm

Microchip Ethernet-Schalter IC MII, RMII 10 Mbps, 100Mbit/s 3,3 V, QFN 56-Pin

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onsemi 2N4403TA THT, PNP Transistor –40 V / -600 mA, TO-92 3-Pin, Verlustleistung max.: 625 mW, Gleichstromverstärkung min.: 100, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 5.2 x 4.19 x 5.33mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

onsemi 2N4403TA THT, PNP Transistor –40 V / -600 mA, TO-92 3-Pin.

Dormer Cobalt Leiterplattenbohrer, Ø 0.5mm, MPN: A720 0-50MM

5mm.

Panasonic ERA, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 8.66kΩ ±0.1% / 0.1W ±15ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA3APB8661V

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HARTING Han Hv E Gehäuse, Trennwand, IP65, Größencode Hersteller: 24 B, Seriennummer: 0934, MPN: 09340100301

HARTING Han Hv E Gehäuse, Trennwand, IP65.

Spelsberg TK PS Polystyrol Gehäuse Grau Außenmaß 111 x 180 x 130mm IP66, Länge (Außen): 130 mm, Höhe (Außen): 111 mm, Breite (Außen): 180 mm, Abgeschirmt: Nein, MPN: 11151601

Spelsberg TK PS Polystyrol Gehäuse Grau Außenmaß 111 x 180 x 130mm IP66.

Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 3kΩ ±0.05% / 0.1W ±10ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA3ARW302V

05% / 0.1W ±10ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse.Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 3kΩ ±0.