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Infineon HEXFET IRF7316TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET IRF7316TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET IRF7316TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 98 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF7316TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Infineon HEXFET IRF7316TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A 2 W, 8-Pin SOIC

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