Infineon OptiMOS 3 BSS606NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3,2 A 1 W, 4-Pin SOT-89, Gehäusegröße: PG-SOT-89, Drain-Source-Widerstand max.: 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V
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Infineon OptiMOS 3 BSS606NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3,2 A 1 W, 4-Pin SOT-89
Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSS606NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 3,2 A 1 W, 4-Pin SOT-89 | |
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