onsemi QFET FQN1N60CTA N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 300 mA 1 W, 3-Pin TO-92, Drain-Source-Widerstand max.: 11,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 5.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi QFET FQN1N60CTA N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 300 MA 1 W, 3-Pin TO-92
Specifications of Onsemi QFET FQN1N60CTA N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 300 MA 1 W, 3-Pin TO-92 | |
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