Infineon HEXFET IRFR3910TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 110 V / 16 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 115 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Infineon HEXFET IRFR3910TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 110 V / 16 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET IRFR3910TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 110 V / 16 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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