Onsemi NTR1P02T1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 MW, 3-Pin SOT-23
About The 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi NTR1P02T1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max
onsemi NTR1P02T1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NTR1P02T1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 MW, 3-Pin SOT-23
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Onsemi NTR1P02T1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1 A 400 MW, 3-Pin SOT-23 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
