Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 1,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
Specifications of Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN | |
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