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Microchip SST39 Flash-Speicher 4MBit, 512K X 8 Bit, Parallel, 55ns, PLCC, 32-Pin, 3 V Bis 3,6 V

About The 43mm, Abmessungen: 11.43 x 13

Microchip SST39 Flash-Speicher 4MBit, 512K x 8 bit, Parallel, 55ns, PLCC, 32-Pin, 3 V bis 3,6 V, Montage-Typ: SMD, Zellen-Typ: Gate teilbar, Block-Organisation: Symmetrisch, Länge: 13.97mm, Höhe: 2.79mm, Breite: 11.43mm, Abmessungen: 11.43 x 13.97 x 2.79mm, Betriebstemperatur max.: +70 °C, MPN: SST39LF040-55-4C-NHE

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > Flash-Speicher

Microchip SST39 Flash-Speicher 4MBit, 512K X 8 Bit, Parallel, 55ns, PLCC, 32-Pin, 3 V Bis 3,6 V

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Specifications of Microchip SST39 Flash-Speicher 4MBit, 512K X 8 Bit, Parallel, 55ns, PLCC, 32-Pin, 3 V Bis 3,6 V

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Microchip SST39 Flash-Speicher 4MBit, 512K X 8 Bit, Parallel, 55ns, PLCC, 32-Pin, 3 V Bis 3,6 V
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RS PRO Aluminium Gehäuse Außenmaß 115 x 65 x 55mm IP65, Gehäusematerial: Aluminiumlegierung, Länge (Außen): 115 mm, Höhe (Außen): 55 mm, Breite (Außen): 65 mm, Farbe: Silber, Deckelfarbe: Schwarz, Serie: 5500, Gewicht: 300g, Dichtungswerkstoff: Neopren
    • Wago 252 Steckbarer Klemmenblock Stiftleiste 6-Kontakte 3.5mm-Raster, Anzahl der Reihen: 1, MPN: 252-906
    • Vishay THT LED Rot 2 V, 60 ° 5 mm (T-1 3/4), Montage Typ: Durchsteckmontage, Lichtstärke: 10 mcd, Linsenform: Round, Wellenlänge typ.: 625 nm, Abmessungen: 5 x 8.7mm, MPN: TLHR5400
    • Infineon HEXFET IRFB7730PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 246 A 375 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
    • Infineon HEXFET IRFB7730PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 246 A 375 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V