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Infineon OptiMOS P IPD90P03P404ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The Infineon OptiMOS P IPD90P03P404ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 3,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon OptiMOS P IPD90P03P404ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 3,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS P IPD90P03P404ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon OptiMOS P IPD90P03P404ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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