reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Vishay SI2325DS-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 530 MA 750 MW, 3-Pin SOT-23

About The : 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Vishay SI2325DS-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 530 mA 750 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SI2325DS-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 530 MA 750 MW, 3-Pin SOT-23

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay SI2325DS-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 530 MA 750 MW, 3-Pin SOT-23

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay SI2325DS-T1-E3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 530 MA 750 MW, 3-Pin SOT-23
More Varieties

Rating :- 9.75 /10
Votes :- 42