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Infineon HEXFET IRF7907TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,1 A, 11 A 2 W, 8-Pin SOIC

About The : 2.Infineon HEXFET IRF7907TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,1 A, 11 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET IRF7907TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,1 A, 11 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 13,7 mΩ, 20,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRF7907TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,1 A, 11 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Infineon HEXFET IRF7907TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,1 A, 11 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Infineon HEXFET IRF7907TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,1 A, 11 A 2 W, 8-Pin SOIC
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Panasonic RELAY, CM, AUTOMOTIVE MICRO ISO, 1 FORM C, 12 VDC, MPN: CM1-12V

Panasonic RELAY, CM, AUTOMOTIVE MICRO ISO, 1 FORM C, 12 VDC, MPN: CM1-12V

Panasonic RELAY, CM, AUTOMOTIVE MICRO ISO, 1 FORM C, 12 VDC.

    • Siemens Überspannungsbegrenzer, Varistor DC150-250V für Schütze Bgr.8-12, 3TX7522-3J, MPN: 3TX75223J
    • XP Power Schaltnetzteil, AUS 24V dc / 2.6A 3-Kanal 63W, EIN 120 → 370 V dc, 90 → 264 V ac Offene Bauform,, Ausgangsspannung: 24V dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Länge: 127mm, Breite: 76.2mm, Tiefe: 30.5mm, Wirkungsgrad: 80%, Temperatur max.: +70°C, Gewicht: 240g, MPN: SDS60US24
    • Microchip PD70101 Entwicklungsbausatz Spannungsregler, FB, PD with PD70101 5V 2.6A Leistungsdetektor, Kit-Klassifizierung: Evaluierungsplatine, MPN: PD70101EVB15F-5
    • Beta Duct 2345 Verdrahtungskanal Schwarz, 25 mm x 75mm, Länge 2m Noryl, Seitenwand Offen, Kabelkanal / Kettentyp: Geschlitzter Kabelkanal mit Abdeckung, MPN: 23453000N
    • Toshiba Logikgatter, 1-Elem., NAND, HC, 2.6mA, 5-Pin, SSOP, 2

    Toshiba Logikgatter, 1-Elem., NAND, HC, 2.6mA, 5-Pin, SSOP, 2

    CL: 100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.

    • Infineon HEXFET IRF7907TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,1 A, 11 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 13,7 mΩ, 20,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Toshiba CMOS-Inverter 100 ns @ 2 V, SSOP, Schmitt-Trigger-Eingang: Nein, Ausgangsstrom H-Pegel max.: -2.6mA, Montage-Typ: SMD, Pinanzahl: 5, Logikfamilie: HC, Abmessungen: 2.9 x 1.6 x 1.1mm, Arbeitsspannnung max.: 6 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: TC7S04F(F)
    • Infineon HEXFET IRF7907TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,1 A, 11 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 13,7 mΩ, 20,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Toshiba CMOS-Inverter 100 ns @ 2 V, SSOP, Schmitt-Trigger-Eingang: Nein, Ausgangsstrom H-Pegel max.: -2.6mA, Montage-Typ: SMD, Pinanzahl: 5, Logikfamilie: HC, Abmessungen: 2.9 x 1.6 x 1.1mm, Arbeitsspannnung max.: 6 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: TC7S04F(F)