onsemi QFET FQP17P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 120 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Onsemi QFET FQP17P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Onsemi QFET FQP17P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220AB | |
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