Infineon HEXFET IRF5305STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The 83mm.Infineon HEXFET IRF5305STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max
Infineon HEXFET IRF5305STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.83mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRF5305STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon HEXFET IRF5305STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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