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Onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 300 MA HFE:20000, SOT-23 (TO-236 3-Pin Einfach

About The 01mm, MPN: MMBTA13LT1G.onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 300 mA HFE:20000, SOT-23 (TO-236 3-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max

onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 300 mA HFE:20000, SOT-23 (TO-236 3-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 10 V, Montage-Typ: SMD, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: 1,5 V, Kollektor-Abschaltstrom max.: 100nA, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBTA13LT1G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Darlington Transistoren

Onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 300 MA HFE:20000, SOT-23 (TO-236 3-Pin Einfach

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Specifications of Onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 300 MA HFE:20000, SOT-23 (TO-236 3-Pin Einfach

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Onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 300 MA HFE:20000, SOT-23 (TO-236 3-Pin Einfach
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