reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Onsemi QFET FQD2N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,8 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.6mm, Betriebstemperatur max

onsemi QFET FQD2N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,8 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 6,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi QFET FQD2N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,8 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Onsemi QFET FQD2N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,8 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Category
Instockinstock

Last Updated

Onsemi QFET FQD2N80TM N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 1,8 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
More Varieties

Rating :- 9.83 /10
Votes :- 41