Infineon CoolMOS CE IPD50R380CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 14,1 A 98 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon CoolMOS CE IPD50R380CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 14,1 A 98 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon CoolMOS CE IPD50R380CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 14,1 A 98 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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