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IXYS HiperFET, Q-Class IXFH15N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 15 A 690 W, 3-Pin TO-247

About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.26mm, Betriebstemperatur max

IXYS HiperFET, Q-Class IXFH15N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 15 A 690 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 1,05 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Q-Class IXFH15N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 15 A 690 W, 3-Pin TO-247

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Specifications of IXYS HiperFET, Q-Class IXFH15N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 15 A 690 W, 3-Pin TO-247

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