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Eaton Bussmann SMD Induktivität, 15 μH 3.7A Mit Ferrit-Kern, 1050 Gehäuse 10.3mm / ±30%, 1MHz

About The Eaton Bussmann SMD Induktivität, 15 μH 3.5mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max

Eaton Bussmann SMD Induktivität, 15 μH 3.7A mit Ferrit-Kern, 1050 Gehäuse 10.3mm / ±30%, 1MHz, Tiefe: 10.5mm, Abmessungen: 10.3 x 10.5 x 5mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 32.5mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: DR1050-150-R

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Eaton Bussmann SMD Induktivität, 15 μH 3.7A Mit Ferrit-Kern, 1050 Gehäuse 10.3mm / ±30%, 1MHz

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Specifications of Eaton Bussmann SMD Induktivität, 15 μH 3.7A Mit Ferrit-Kern, 1050 Gehäuse 10.3mm / ±30%, 1MHz

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