onsemi NTBL050N65S NTBL050N65S3H N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 49 A, 8-Pin H-psof8L., Drain-Source-Widerstand max.: 0,05 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
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Onsemi NTBL050N65S NTBL050N65S3H N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 49 A, 8-Pin H-psof8L.
Specifications of Onsemi NTBL050N65S NTBL050N65S3H N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 49 A, 8-Pin H-psof8L. | |
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