Vishay IHLP SMD Induktivität, 1 μH 11A Mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6.86mm / ±20%, 5MHz

Name: Vishay | Vishay IHLP SMD Induktivität, 1 μH 11A Mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6.86mm / ±20%, 5MHz, Tiefe: 6.47mm, Höhe: 3mm, Abmessungen: 6.86 X 6.47 X 3mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand Max.: 10mΩ, Betriebstemperatur Max.: +125°C, MPN: IHLP2525CZER1R0M01
Brand: Vishay
SKU: ABDV-447018
Price: 1123.36 EUR
Availability: InStock

About The 86 x 6.Vishay IHLP SMD Induktivität, 1 μH 11A mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6

Vishay IHLP SMD Induktivität, 1 μH 11A mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6.86mm / ±20%, 5MHz, Tiefe: 6.47mm, Höhe: 3mm, Abmessungen: 6.86 x 6.47 x 3mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 10mΩ, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: IHLP2525CZER1R0M01

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Nexperia Monostabiler Multivibrator, HEF 1 Anz.

Nexperia BC857BS,135 SMD, PNP Transistor Dual –45 V / -100 mA, SOT-363 6-Pin, Verlustleistung max.: 200 mW, Transistor-Konfiguration: Stromspiegel, Kollektor-Basis-Spannung max.: –50 V, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Vishay IHLP SMD Induktivität, 1 μH 11A Mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6.86mm / ±20%, 5MHz
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Last Updated December 29th, 2024 03:01 pm

Vishay IHLP SMD Induktivität, 1 μH 11A Mit Metallverbund-Kern, 2225 (5664M) Gehäuse 6.86mm / ±20%, 5MHz

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Vishay THT Schottky Gleichrichter & Schottky-Diode, 30V / 200mA, 2-Pin DO-35 (DO-204AH), Diodenkonfiguration: Einfach, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: BAT85S-TR

Vishay THT Schottky Gleichrichter & Schottky-Diode, 30V / 200mA, 2-Pin DO-35 (DO-204AH).

Vishay IHLP SMD Induktivität, 330 nH 36.5A mit Metallverbund-Kern, 5050 Gehäuse 13.2mm / ±20%, 5MHz, Tiefe: 12.9mm, Höhe: 3.5mm, Abmessungen: 13.2 x 12.9 x 3.5mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 1.5mΩ, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: IHLP5050CEERR33M01

5A mit Metallverbund-Kern, 5050 Gehäuse 13.

Vishay MKP 1837 Folienkondensator 22nF ±1% / 63 V ac, 100 V dc, THT Raster 5mm, Montageart: Durchsteckmontage, Dielektrikum: Polypropylen, Anschlussdurchmesser: 0.5mm, Betriebstemperatur max.: +100°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: PR03000203308JAC00

Vishay MKP 1837 Folienkondensator 22nF ±1% / 63 V ac, 100 V dc, THT Raster 5mm.

Festo ADN 536362, M5 Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 20mm / Hub 60mm, bis 10 bar, Ausführung: Zweifach, Länge: 102.5mm, Kolbenstangen-Gewindetyp: Female, Endlagendämpfung: Elastisch, Abmessungen: 35.5 x 35.5 x 102.5mm, Breite: 35.5mm, ISO Standard: 21287, Betriebstemperatur (max.): +80°C, Betriebstemperatur (min.): -20°C, MPN: ADN-20-60-I-P-A

Festo ADN 536362, M5 Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 20mm / Hub 60mm, bis 10 bar.

Vishay T55, SMD Polymerkondensator 68μF ±20% / 6.3V dc, -55°C → +105°C, Kapazität: 68µF, Materialfamilie des Dielektrikums: Tantal, Spannung: 6.3V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Gehäuse-Form: 3528-12, Äquivalenter Serienwiderstand: 70mΩ, Länge: 3.5mm, Tiefe: 2.8mm, Höhe: 1.2mm, Abmessungen: 3.5 x 2.8 x 1.2mm, Elektrolyt-Typ: Fest, MPN: T55T686M6R3C0070

3V dc, -55°C → +105°C.Vishay T55, SMD Polymerkondensator 68μF ±20% / 6.

Nexperia BC857BS,135 SMD, PNP Transistor Dual –45 V / -100 mA, SOT-363 6-Pin, Verlustleistung max.: 200 mW, Transistor-Konfiguration: Stromspiegel, Kollektor-Basis-Spannung max.: –50 V, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Nexperia BC857BS,135 SMD, PNP Transistor Dual –45 V / -100 mA, SOT-363 6-Pin.