onsemi NTR1P02LT1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,3 A 400 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 350 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.25V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +12 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi NTR1P02LT1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,3 A 400 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Onsemi NTR1P02LT1G P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,3 A 400 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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