Vishay IRF640PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 125 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.41mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay IRF640PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Vishay IRF640PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 125 W, 3-Pin TO-220AB | |
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