Vishay SI7850DP-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6.2 A 1800 MW, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The 2 A 1800 mW, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.Vishay SI7850DP-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6
Vishay SI7850DP-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6.2 A 1800 mW, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 22 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.04mm, Länge: 4.9mm
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Vishay SI7850DP-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6.2 A 1800 MW, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay SI7850DP-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6.2 A 1800 MW, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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