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Vishay TrenchFET SiSH892BDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

About The : 0,0304 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Vishay TrenchFET SiSH892BDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH, Drain-Source-Widerstand max

Vishay TrenchFET SiSH892BDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0304 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET SiSH892BDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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Specifications of Vishay TrenchFET SiSH892BDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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Vishay TrenchFET SiSH892BDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
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Bourns SRP7028A SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1,5 μH 18A mit Carbonylpulver-Kern / 20%, 8MHz, MPN: SRP7028A-1R5M

Bourns SRP7028A SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1,5 μH 18A mit Carbonylpulver-Kern / 20%, 8MHz, MPN: SRP7028A-1R5M

Bourns SRP7028A SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1,5 μH 18A mit Carbonylpulver-Kern / 20%, 8MHz.

    • TE Connectivity KEM EMV-Filter, 52 V ac, 25A, Gehäusemontage, Anschlussblock, 3-phasig 18 mA / 50 → 60Hz Single, Anzahl der Zustände: Single Stage, Betriebstemperatur min.: -25°C, Betriebstemperatur max.: +85°C, MPN: 25KEMS10BFPD
    • Acim Jouanin Schweißring Warmwasserbereiter, Ø 65 mm, Heizelement-Bauart: Schraubstecker, Zubehör, MPN: TPBAG45I
    • Ohmite Resistor; 0.05 Ohms; 3 W; 3%; Axial; 18 ga.; 0.650 in. L; 60 Series

    Ohmite Resistor; 0.05 Ohms; 3 W; 3%; Axial; 18 ga.; 0.650 in. L; 60 Series

    L; 60 Series, MPN: 630HR050E.; 0.Ohmite Resistor; 0.

    • Ohmite Resistor; 0.05 Ohms; 3 W; 3%; Axial; 18 ga.; 0.650 in. L; 60 Series