Vishay TrenchFET SQD40052EL_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 0,006 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Vishay TrenchFET SQD40052EL_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max
Vishay TrenchFET SQD40052EL_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,006 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET SQD40052EL_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Vishay TrenchFET SQD40052EL_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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