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Vishay TrenchFET SiSS54DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 185,6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

About The 2V.: 0,00106 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay TrenchFET SiSS54DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 185,6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00106 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET SiSS54DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 185,6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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Specifications of Vishay TrenchFET SiSS54DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 185,6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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Vishay TrenchFET SiSS54DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 185,6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
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