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Infineon SIPMOS SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon SIPMOS SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon SIPMOS SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon SIPMOS SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon SIPMOS SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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