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Toshiba SSM3 SSM3J117TU(TE85L) P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 800 MW, 3-Pin UFM

About The : 225 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

Toshiba SSM3 SSM3J117TU(TE85L) P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM, Drain-Source-Widerstand max.: 225 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba SSM3 SSM3J117TU(TE85L) P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 800 MW, 3-Pin UFM

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Specifications of Toshiba SSM3 SSM3J117TU(TE85L) P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 800 MW, 3-Pin UFM

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Toshiba SSM3 SSM3J117TU(TE85L) P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 800 MW, 3-Pin UFM
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