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Onsemi NTMYS021N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 27 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

About The : 31,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min

onsemi NTMYS021N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 27 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 31,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi NTMYS021N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 27 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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Specifications of Onsemi NTMYS021N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 27 A 28 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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