Infineon 600V CoolMOS P7 IPB60R120P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 26 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,12 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V
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Infineon 600V CoolMOS P7 IPB60R120P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 26 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon 600V CoolMOS P7 IPB60R120P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 26 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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