Vishay ThunderFET SIS468DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 30 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
About The : -20 V, +20 V, Länge: 3.: +150 °C
Vishay ThunderFET SIS468DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 30 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 32 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay ThunderFET SIS468DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 30 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
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Specifications of Vishay ThunderFET SIS468DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 30 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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