Onsemi CMOS Puffer Hex-Kanal Non-Inverting SOIC Single Ended 16-Pin

Name: Onsemi CMOS Puffer Hex-Kanal Non-Inverting SOIC Single Ended 16-Pin, Schmitt-Trigger-Eingang: Nein, Montage-Typ: SMD, Ausgangsstrom H-Pegel Max.: 30mA, Ausgangsstrom L-Pegel Max.: -4.7mA, Signalverzögerungszeit @ Max. - Onsemi
Brand: onsemi
SKU: ABDV-463
Price: 28.62 EUR
Availability: InStock

About The : 30mA, Ausgangsstrom L-Pegel max.5mm, Arbeitsspannnung max

CL: 140ns, Abmessungen: 10 x 4 x 1.5mm, Arbeitsspannnung max.: 18 V, MPN: MC14050BDR2G onsemi CMOS Puffer Hex-Kanal Non-Inverting SOIC Single Ended 16-Pin, Schmitt-Trigger-Eingang: Nein, Montage-Typ: SMD, Ausgangsstrom H-Pegel max.: 30mA, Ausgangsstrom L-Pegel max.: -4.7mA, Signalverzögerungszeit @ max.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Logik ICs > Puffer ICs

onsemi TVS-Diode-Array Uni-Directional Array komplex 22V 15V min., 6-Pin, SMD 12V max TSOP, Diodenkonfiguration: Komplexes Array, Impulsspitzen-Strom max.: 3A, ESD Schutz: Ja, Anzahl der Elemente pro Chip: 4, Betriebstemperatur min.: -40 °C, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Abmessungen: 1.6 x 1.6 x 0.5mm, MPN: NUP4114HMR6T1G

DiodesZetex Hall-Effekt-Sensor THT Bipolar SIP 3-Pin, Sensor-Typ: Hall-Effekt-Sensoren, Arbeitsspannnung max.: 20 V, Arbeitsspannnung min.: 2,2 V, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Höhe: 3.2mm, Abmessungen: 4.3 x 1.6 x 3.2mm, Magnetsensor-Hysterese: 60 Gs, MPN: AH372-P-B

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Specifications of Onsemi CMOS Puffer Hex-Kanal Non-Inverting SOIC Single Ended 16-Pin
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Last Updated January 27th, 2025 01:12 pm

Onsemi CMOS Puffer Hex-Kanal Non-Inverting SOIC Single Ended 16-Pin

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Nisshinbo Micro Devices Spannungsregler, Shunt 30mA, 1, Ausgangsspannung: 13 V, Genauigkeit: ±1%, MPN: NJM2373AU-TE1

Nisshinbo Micro Devices Spannungsregler, Shunt 30mA, 1.

Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 0,014 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon

Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669.

Renesas Electronics BEAM RJK0391DPA-00#J5A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A, 8-Pin WPAK, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V

Renesas Electronics BEAM RJK0391DPA-00#J5A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A, 8-Pin WPAK.

Infineon Spannungsregler, Abwärtsregler 30A, 1 Gleichstrom-Gleichstrom QFN, 29-Pin, 2 MHz, Ausgangsspannung: 0,6 V, Genauigkeit: 0.5%, MPN: IR3887MTRPBFAUMA1

Infineon Spannungsregler, Abwärtsregler 30A, 1 Gleichstrom-Gleichstrom QFN, 29-Pin, 2 MHz.

Infineon Spannungsregler, Abwärtsregler 30A, 1 Gleichstrom-Gleichstrom QFN, 29-Pin, 2 MHz, Ausgangsspannung: 0,6 V, Genauigkeit: 0.5%, MPN: IR3887MTRPBFAUMA1

Infineon Spannungsregler, Abwärtsregler 30A, 1 Gleichstrom-Gleichstrom QFN, 29-Pin, 2 MHz.

Onsemi CMOS Puffer Hex-Kanal Non-Inverting SOIC Single Ended 16-Pin

About The : 30mA, Ausgangsstrom L-Pegel max.5mm, Arbeitsspannnung max

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Nisshinbo Micro Devices Spannungsregler, Shunt 30mA, 1, Ausgangsspannung: 13 V, Genauigkeit: ±1%, MPN: NJM2373AU-TE1

Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 0,014 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon

Renesas Electronics BEAM RJK0391DPA-00#J5A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A, 8-Pin WPAK, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0029 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V

Infineon Spannungsregler, Abwärtsregler 30A, 1 Gleichstrom-Gleichstrom QFN, 29-Pin, 2 MHz, Ausgangsspannung: 0,6 V, Genauigkeit: 0.5%, MPN: IR3887MTRPBFAUMA1

Infineon Spannungsregler, Abwärtsregler 30A, 1 Gleichstrom-Gleichstrom QFN, 29-Pin, 2 MHz, Ausgangsspannung: 0,6 V, Genauigkeit: 0.5%, MPN: IR3887MTRPBFAUMA1