Infineon Evaluierungsplatine, DEMO_850W_12VDC_230VAC

Name: Infineon - Infineon Evaluierungsplatine, DEMO_850W_12VDC_230VAC, Zum Einsatz Mit: UPS, MPN: DEMO850W12VDC230VACTOBO1
Brand: Infineon
SKU: ABDV-465971
Price: 348.55 EUR
Availability: InStock

About The Infineon Evaluierungsplatine, DEMO_850W_12VDC_230VAC, Zum Einsatz mit: UPS, MPN: DEMO850W12VDC230VACTOBO1

Infineon Evaluierungsplatine, DEMO_850W_12VDC_230VAC, Zum Einsatz mit: UPS, MPN: DEMO850W12VDC230VACTOBO1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Raspberry Pi & Arduino & ROCK und Entwicklungstools > Entwicklungstools und Single Board Computer > Leistung & Entwicklungstools Motor und Robotics

Finder 77 DIN-Schienen Halbleiterrelais zufällig schaltend, 1-poliger Schließer 265 Vac / 5 A, Lastspannung min.: 48 Vac, Steuerspannung max.: 240 Vac, Steuerspannung min.: 110 Vac, Steuerspannungsbereich: 110 → 240 Vac, Laststrom min.: 100 mA, Anschluss Typ: Schraubbefestigung, Lastspannungsbereich: 48 → 265V ac, Einschaltzeit max.: 9ms, Abmessungen: 17.5 x 60.8 x 84mm, MPN: 77.01.8.230.8051

Infineon IPN60R3K4CE Evaluierungsplatine, EVAL_16W_66V_BCK_CE MOSFET-Treiber, Zum Einsatz mit: Beleuchtung, MPN: EVAL16W66VBCKCETOBO1

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Specifications of Infineon Evaluierungsplatine, DEMO_850W_12VDC_230VAC
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Last Updated January 6th, 2025 03:13 pm

Infineon Evaluierungsplatine, DEMO_850W_12VDC_230VAC

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Nichicon GX Snap-In Aluminium-Elektrolyt Kondensator 470μF ±20% / 400V dc, Ø 30mm x 45mm, bis 105°C, Kapazität: 470µF, Spannung: 400V dc, Abmessungen: 30 (Dia.) x 45mm, Betriebstemperatur min.: -25°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 10mm, Lebensdauer: 5000h, Leckstrom: 1300 μA, Brummstrom: 1.81A, MPN: LGX2G471MELB45

Nichicon GX Snap-In Aluminium-Elektrolyt Kondensator 470μF ±20% / 400V dc, Ø 30mm x 45mm, bis 105°C.

Arcol HS150 Wickel Lastwiderstand 330Ω ±1% / 150W, Alu Gehäuse, Gehäuse-Form: Aluminiumgehäuse, Temperaturkoeffizient min.: -100ppm/°C, Temperaturkoeffizient max.: +100ppm/°C, Abmessungen: 97.7 x 47.5 x 24.1mm, Gesamtlänge: 97.7mm, Gesamtbreite: 47.5mm, MPN: HS150E6 330R F M193

Arcol HS150 Wickel Lastwiderstand 330Ω ±1% / 150W, Alu Gehäuse.

DiodesZetex MMBT2222A-7-F SMD, NPN Transistor 40 V / 600 mA, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Gleichstromverstärkung min.: 100, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 75 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 3 x 1.4 x 1.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

DiodesZetex MMBT2222A-7-F SMD, NPN Transistor 40 V / 600 mA, SOT-23 3-Pin.

DiodesZetex BC857C-7-F SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA 200 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Gleichstromverstärkung min.: 420, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -50 V, Basis-Emitter Spannung max.: -5 V, Abmessungen: 3 x 1.4 x 1.1mm

DiodesZetex BC857C-7-F SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA 200 MHz, SOT-23 3-Pin.

DiodesZetex BC857C-7-F SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA 200 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Gleichstromverstärkung min.: 420, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -50 V, Basis-Emitter Spannung max.: -5 V, Abmessungen: 3 x 1.4 x 1.1mm

DiodesZetex BC857C-7-F SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA 200 MHz, SOT-23 3-Pin.

Infineon Evaluierungsplatine, DEMO_850W_12VDC_230VAC

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Specifications of Infineon Evaluierungsplatine, DEMO_850W_12VDC_230VAC

Arcol HS150 Wickel Lastwiderstand 330Ω ±1% / 150W, Alu Gehäuse, Gehäuse-Form: Aluminiumgehäuse, Temperaturkoeffizient min.: -100ppm/°C, Temperaturkoeffizient max.: +100ppm/°C, Abmessungen: 97.7 x 47.5 x 24.1mm, Gesamtlänge: 97.7mm, Gesamtbreite: 47.5mm, MPN: HS150E6 330R F M193

DiodesZetex BC857C-7-F SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA 200 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Gleichstromverstärkung min.: 420, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -50 V, Basis-Emitter Spannung max.: -5 V, Abmessungen: 3 x 1.4 x 1.1mm

DiodesZetex BC857C-7-F SMD, PNP Transistor –45 V / -100 mA 200 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Gleichstromverstärkung min.: 420, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -50 V, Basis-Emitter Spannung max.: -5 V, Abmessungen: 3 x 1.4 x 1.1mm