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Infineon Diode Thyristormodul 1300A 1600V

About The .: 200mA, Gate-Triggerspannung max

Infineon Diode Thyristormodul 1300A 1600V, Gate-Triggerstrom max.: 200mA, Gate-Triggerspannung max.: 2V, Haltestrom max.: 300mA, Pinanzahl: 8, MPN: STT1400N16P55XPSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Thyristoren

Infineon Diode Thyristormodul 1300A 1600V

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Specifications of Infineon Diode Thyristormodul 1300A 1600V

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Infineon Diode Thyristormodul 1300A 1600V
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Samsung 990PRO mit Kühlkörper, M.2 (2280) Intern SSD PCIe Gen 4.0 x4 NVMe, V-NAND TLC, 2 TB, SSD, MPN: MZ-V9P2T0GW

Samsung 990PRO mit Kühlkörper, M.2 (2280) Intern SSD PCIe Gen 4.0 x4 NVMe, V-NAND TLC, 2 TB, SSD, MPN: MZ-V9P2T0GW

Samsung 990PRO mit Kühlkörper, M.2 (2280) Intern SSD PCIe Gen 4.0 x4 NVMe, V-NAND TLC, 2 TB, SSD.

    • RS PRO ISM400 Solarenergie-Messgerät, bis 634 Btu/ft² x h, 2000 W/m² ±3 Btu/ft² x h, ±5 W/m² 0,1 W/m², 0,1 Btu/ft² x h, Winkelgenauigkeit:

    RS PRO ISM400 Solarenergie-Messgerät, bis 634 Btu/ft² x h, 2000 W/m² ±3 Btu/ft² x h, ±5 W/m² 0,1 W/m², 0,1 Btu/ft² x h, Winkelgenauigkeit:

    RS PRO ISM400 Solarenergie-Messgerät, bis 634 Btu/ft² x h, 2000 W/m² ±3 Btu/ft² x h, ±5 W/m² 0,1 W/m², 0,1 Btu/ft² x h.

    • Lovato BGR12 Leistungsschütz / 125 V Spule, 690 V / 12 A, Leistung: 5 kW, MPN: 11BGR1201D125
    • Infineon Diode Thyristormodul 800A 1600V, Gate-Triggerstrom max.: 200mA, Gate-Triggerspannung max.: 2V, Haltestrom max.: 300mA, MPN: STT800N16P55XPSA1
    • Infineon Diode Thyristormodul 800A 1600V, Gate-Triggerstrom max.: 200mA, Gate-Triggerspannung max.: 2V, Haltestrom max.: 300mA, MPN: STT800N16P55XPSA1