Toshiba TK TK10P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,7 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 430 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TK TK10P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,7 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Toshiba TK TK10P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,7 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |