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CHEMI-CON Nippon Speicherdrossel Induktivität, 5,5 MH, 3A / R-DC 56mΩ X 28mm

About The CHEMI-CON Nippon Speicherdrossel Induktivität, 5,5 mH, 3A / R-DC 56mΩ x 28mm, Länge: 29mm, Tiefe: 15mm, Abmessungen: 29 x 15 x 28mm, MPN: LDFM003552M5-V0E

CHEMI-CON Nippon Speicherdrossel Induktivität, 5,5 mH, 3A / R-DC 56mΩ x 28mm, Länge: 29mm, Tiefe: 15mm, Abmessungen: 29 x 15 x 28mm, MPN: LDFM003552M5-V0E

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > Induktivitäten bedrahtet

CHEMI-CON Nippon Speicherdrossel Induktivität, 5,5 MH, 3A / R-DC 56mΩ X 28mm

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Specifications of CHEMI-CON Nippon Speicherdrossel Induktivität, 5,5 MH, 3A / R-DC 56mΩ X 28mm

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CHEMI-CON Nippon Speicherdrossel Induktivität, 5,5 MH, 3A / R-DC 56mΩ X 28mm
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RS PRO Feder, Aussen ø 4.63mm, L. 20mm, Draht ø 0.63mm, 11.3mm, 1.67N/mm, 14.3N, Edelstahl, Quadratisch/Ungeschliffen

RS PRO Feder, Aussen ø 4.63mm, L. 20mm, Draht ø 0.63mm, 11.3mm, 1.67N/mm, 14.3N, Edelstahl, Quadratisch/Ungeschliffen

3N, Edelstahl, Quadratisch/Ungeschliffen.63mm, 11.RS PRO Feder, Aussen ø 4. 20mm, Draht ø 0.

    • RS PRO Lötspitze 1 mm konisch DS für Lötstation 799-8941, Spitzen-Form: Konisch, gerade, Zur Verwendung mit: RS PRO Lötstation 799-8941, Spitzen-Winkel: 0°
    • Seeit 0.5mm 20 IC-Sockel-Adapter, - 20-polig Female QFN 20-polig Male DIP, MPN: ADA-QFN20

    Seeit 0.5mm 20 IC-Sockel-Adapter, - 20-polig Female QFN 20-polig Male DIP, MPN: ADA-QFN20

    Seeit 0.5mm 20 IC-Sockel-Adapter, - 20-polig Female QFN 20-polig Male DIP.

    • Infineon HEXFET IRFB4019PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 17 A 80 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 95 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.66mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
    • Infineon HEXFET IRFB4019PBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 17 A 80 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 95 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.66mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C